Transistor bipolaire MJW21191G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -150 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le MJW21191G est la version sans plomb du transistor MJW21191

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJW21191G est le MJW21192G.Vous pouvez remplacer le transistor MJW21191G par MJW21191.