Transistor bipolaire MJE13006

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 300 V
• Tension collecteur-base maximum: 600 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 8 à 60
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE13006 par FJP13007, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G ou STD13007F.