Transistor bipolaire MJD350G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -3 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 15 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 240
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE350 transistor
• Le MJD350G est la version sans plomb du transistor MJD350

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD350G est marqué "J350G".Vous pouvez remplacer le transistor MJD350G par MJD350, MJD350T4 ou MJD350T4G.