Transistor bipolaire KTD863-O
Caractéristiques électriques du transistor KTD863-O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 120
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
- Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor
Brochage du KTD863-O
Classification de hFE
Version SMD du transistor KTD863-O
Transistor KTD863-O en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KTD863-O
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