Transistor bipolaire KSC5030-O

Caractéristiques électriques du transistor KSC5030-O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 40
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du KSC5030-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5030-O peut avoir un gain en courant continu de 20 à 40. Le gain en courant continu du KSC5030 est compris entre 10 à 40, celui du KSC5030-N entre 10 à 20, celui du KSC5030-R entre 15 à 30.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC5030-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSC5030-O par 2SC3153, 2SC3153-M, 2SC3460, 2SC3460-N, 2SC3461, 2SC3461-N, 2SC3552, 2SC3552-M, 2SC3992, 2SC3992-M, 2SC3993, 2SC3993-M, 2SC3994, 2SC3994-M, 2SD1399, 2SD1403, KSC3552 ou KSC3552-O.
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