Transistor bipolaire KSC1008O
Caractéristiques électriques du transistor KSC1008O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1008O transistor
Brochage du KSC1008O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSC1008O
Transistor KSC1008O en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1008O
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