Transistor bipolaire KSC1008G

Caractéristiques électriques du transistor KSC1008G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1008G transistor

Brochage du KSC1008G

Le KSC1008G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSC1008CG (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSC1008G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1008G peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSC1008 est compris entre 40 à 400, celui du KSC1008O entre 70 à 140, celui du KSC1008R entre 40 à 80, celui du KSC1008Y entre 120 à 240.

Version SMD du transistor KSC1008G

Le BCV72 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC1008G.

Transistor KSC1008G en boîtier TO-92

Le 2SC1008G est la version TO-92 du KSC1008G.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1008G

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1008G par 2SC1008, 2SC1008G, BC537, BC537-25, BC538, BC538-25, MPS651, MPS651G ou ZTX692B.
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