Transistor bipolaire FJPF5027
Caractéristiques électriques du transistor FJPF5027
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
- Tension collecteur-base maximum: 1100 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 10 à 40
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular KSC5027 transistor
Brochage du FJPF5027
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor FJPF5027
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