Transistor bipolaire FJPF5027

Caractéristiques électriques du transistor FJPF5027

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 40
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular KSC5027 transistor

Brochage du FJPF5027

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor FJPF5027 peut avoir un gain en courant continu de 10 à 40. Le gain en courant continu du FJPF5027-N est compris entre 10 à 20, celui du FJPF5027-O entre 20 à 40, celui du FJPF5027-R entre 15 à 30.

Substituts et équivalents pour le transistor FJPF5027

Vous pouvez remplacer le transistor FJPF5027 par 2SC3150, 2SC3457, 2SC3752, 2SC3866, KSC5027, KSC5027F ou MJE8503.
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