Transistor bipolaire BC876

Caractéristiques électriques du transistor BC876

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du BC876

Le BC876 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BC876

Le transistor NPN complémentaire du BC876 est le BC875.

Substituts et équivalents pour le transistor BC876

Vous pouvez remplacer le transistor BC876 par BC878 ou BC880.
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