Transistor bipolaire BC850C

Caractéristiques électriques du transistor BC850C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du BC850C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC850C peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC850 est compris entre 110 à 800, celui du BC850A entre 110 à 220, celui du BC850B entre 200 à 450.

Complémentaire du transistor BC850C

Le transistor PNP complémentaire du BC850C est le BC860C.

Substituts et équivalents pour le transistor BC850C

Vous pouvez remplacer le transistor BC850C par 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC846, BC846C, BC847, BC847C, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 ou SMBTA06.
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