Transistor bipolaire BC850BW

Caractéristiques électriques du transistor BC850BW

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC850BW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC850BW peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC850AW est compris entre 110 à 220, celui du BC850CW entre 420 à 800, celui du BC850W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC850BW

Le transistor PNP complémentaire du BC850BW est le BC860BW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC850BW

Vous pouvez remplacer le transistor BC850BW par 2SC4116, BC817W, BC846BW, BC846W, BC847BW, BC847W ou FJX945.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com