Transistor bipolaire BC556C

Caractéristiques électriques du transistor BC556C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -65 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du BC556C

Le BC556C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC556C peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC556 est compris entre 110 à 800, celui du BC556A entre 110 à 220, celui du BC556B entre 200 à 450.

Complémentaire du transistor BC556C

Le transistor NPN complémentaire du BC556C est le BC546C.

Version SMD du transistor BC556C

Le BC856 (SOT-23), BC856C (SOT-23), BC856CW (SOT-323) et BC856W (SOT-323) est la version SMD du transistor BC556C.
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