Transistor bipolaire BC259C

Caractéristiques électriques du transistor BC259C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -25 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 180 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du BC259C

Le BC259C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC259C peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC259 est compris entre 110 à 800, celui du BC259A entre 110 à 220, celui du BC259B entre 200 à 450.

Complémentaire du transistor BC259C

Le transistor NPN complémentaire du BC259C est le BC169C.

Substituts et équivalents pour le transistor BC259C

Vous pouvez remplacer le transistor BC259C par 2SA1282A, 2SA1286, 2SA1286-G, 2SA628, 2SA628-G, BC258, BC258C, MPS3638, MPS3638A, PN3638 ou PN3638A.
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