Transistor bipolaire 2SD789-E

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 800
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92MOD

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD789-E peut avoir un gain en courant continu de 400 à 800. Le gain en courant continu du 2SD789 est compris entre 100 à 800, celui du 2SD789-B entre 100 à 200, celui du 2SD789-C entre 160 à 320, celui du 2SD789-D entre 250 à 500.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD789-E peut n'être marqué que D789-E.