Caractéristiques électriques du transistor 2SD789-B
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 100 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD789-B
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD789-B peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD789 est compris entre 100 à 800, celui du 2SD789-C entre 160 à 320, celui du 2SD789-D entre 250 à 500, celui du 2SD789-E entre 400 à 800.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD789-B peut n'être marqué que D789-B.
Complémentaire du transistor 2SD789-B
Le transistor PNP complémentaire du 2SD789-B est le 2SB740-B.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD789-B