Transistor bipolaire 2SD755

Caractéristiques électriques du transistor 2SD755

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 250 à 1200
  • Fréquence de transition minimum: 350 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD755

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD755 peut avoir un gain en courant continu de 250 à 1200. Le gain en courant continu du 2SD755-D est compris entre 250 à 500, celui du 2SD755-E entre 400 à 800, celui du 2SD755-F entre 600 à 1200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD755 peut n'être marqué que D755.

Complémentaire du transistor 2SD755

Le transistor PNP complémentaire du 2SD755 est le 2SB715.

Version SMD du transistor 2SD755

Le FJV1845 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD755.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD755

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD755 par 2SC1841, 2SC1845, 2SC1890A, 2SC2544, 2SC2784 ou KSC1845.
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