Transistor bipolaire 2SD666-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SD666-B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD666-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD666-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD666 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD666-C entre 100 à 200, celui du 2SD666-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD666-B peut n'être marqué que D666-B.

Complémentaire du transistor 2SD666-B

Le transistor PNP complémentaire du 2SD666-B est le 2SB646-B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD666-B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD666-B par 2SC2274K, 2SC2274K-D, 2SC2383, 2SC2383R, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SC3244, 2SD438, 2SD438-D, 2SD666A, 2SD666A-B, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AB, 2SD667B, 2SD668, 2SD668-B, 2SD668A, 2SD668A-B, BC639, HSD1609S, HSD1609S-B, KSC1009C, KSC2310, KSC2383, KSC2383R, KTC3228 ou KTC3228R.
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