Transistor bipolaire 2SD666

Caractéristiques électriques du transistor 2SD666

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD666

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD666 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SD666-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SD666-C entre 100 à 200, celui du 2SD666-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD666 peut n'être marqué que D666.

Complémentaire du transistor 2SD666

Le transistor PNP complémentaire du 2SD666 est le 2SB646.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD666

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD666 par 2SC2274K, 2SC2383, 2SC3228, 2SD438, 2SD667, 2SD668, HSD1609S, KSC1009C, KSC2383 ou KTC3228.
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