Transistor bipolaire 2SD602A-Q
Caractéristiques électriques du transistor 2SD602A-Q
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
- Gain de courant (hfe): 85 à 170
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du 2SD602A-Q
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD602A-Q
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD602A-Q
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