Caractéristiques électriques du transistor 2SD600-E
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 8 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 130 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD600-E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD600-E peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD600 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD600-D entre 60 à 120, celui du 2SD600-F entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD600-E peut n'être marqué que D600-E.
Complémentaire du transistor 2SD600-E
Le transistor PNP complémentaire du 2SD600-E est le 2SB631-E.