Transistor bipolaire 2SD2386

Caractéristiques électriques du transistor 2SD2386

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD2386

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD2386 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SD2386-A est compris entre 5000 à 12000, celui du 2SD2386-B entre 9000 à 18000, celui du 2SD2386-C entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SD2386 equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD2386 peut n'être marqué que D2386.

Complémentaire du transistor 2SD2386

Le transistor PNP complémentaire du 2SD2386 est le 2SB1557.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD2386

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD2386 par 2SC2579, 2SC2581, 2SD2384, 2SD2385, 2SD2387, 2SD2389, 2SD2390 ou BDV67D.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com