Transistor bipolaire 2SD1716-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1716-S

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 80 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1716-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1716-S peut avoir un gain en courant continu de 80 à 160. Le gain en courant continu du 2SD1716 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1716-P entre 100 à 200, celui du 2SD1716-Q entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1716-S peut n'être marqué que D1716-S.

Complémentaire du transistor 2SD1716-S

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1716-S est le 2SB1161-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1716-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1716-S par 2SC4388, 2SC5359 ou 2SC5359-O.
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