Transistor bipolaire 2SD1715-Q
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1715-Q
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 150 V
- Tension collecteur-base maximum: 150 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 9 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 120
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SD1715-Q
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1715-Q
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1715-Q
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