Transistor bipolaire 2SD1705-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1705-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1705-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1705-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SD1705 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1705-P entre 130 à 260.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1705-Q peut n'être marqué que D1705-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1705-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1705-Q est le 2SB1154-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1705-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1705-Q par 2SC2681, 2SC4886, 2SC4886-Y, 2SC5101, 2SC5101-Y, 2SD1706, 2SD1706-Q, 2SD1707, 2SD1707-Q, 2SD1716, FJAF4310 ou FJAF4310Y.
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