Transistor bipolaire 2SD1705-P

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 130 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 70 W
• Gain de courant (h_fe): 130 à 260
• Fréquence de transition minimum: 20 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3PF

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1705-P peut avoir un gain en courant continu de 130 à 260. Le gain en courant continu du 2SD1705 est compris entre 60 à 260, celui du 2SD1705-Q entre 90 à 180.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1705-P peut n'être marqué que D1705-P.Le transistor PNP complémentaire du 2SD1705-P est le 2SB1154-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1705-P par 2SD1706, 2SD1706-P, 2SD1707 ou 2SD1707-P.