Transistor bipolaire 2SC1210-D

Caractéristiques électriques du transistor 2SC1210-D

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 4 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 130 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SC1210-D

Le 2SC1210-D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SC1210-D peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SC1210 est compris entre 55 à 300, celui du 2SC1210-C entre 55 à 110, celui du 2SC1210-E entre 150 à 300.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1210-D peut n'être marqué que C1210-D.

Complémentaire du transistor 2SC1210-D

Le transistor PNP complémentaire du 2SC1210-D est le 2SA696-D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1210-D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC1210-D par 2SC1008, 2SC1211, 2SC1211-D, BC537, BC538, KSC1008, KSP05, KSP06, MPS3416, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6531, MPS6717, MPS6717G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06 ou MPSW06G.
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