Transistor bipolaire 2SB696
Caractéristiques électriques du transistor 2SB696
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
- Tension collecteur-base maximum: -150 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -8 A
- Dissipation de puissance maximum: 80 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 320
- Fréquence de transition minimum: 15 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -40 to +150 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du 2SB696
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB696
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB696
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com