Transistor bipolaire 2SB1625

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1625

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -110 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 5000 à 30000
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1625

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1625 peut avoir un gain en courant continu de 5000 à 30000. Le gain en courant continu du 2SB1625-O est compris entre 5000 à 12000, celui du 2SB1625-P entre 6500 à 20000, celui du 2SB1625-Y entre 15000 à 30000.

Equivalent circuit

2SB1625 equivalent circuit

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1625 peut n'être marqué que B1625.

Complémentaire du transistor 2SB1625

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1625 est le 2SD2494.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1625

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1625 par 2SB1253, 2SB1254 ou 2SB1255.
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