Transistor bipolaire 2SB1161-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1161-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1161-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1161-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1161 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1161-P entre 100 à 200, celui du 2SB1161-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1161-Q peut n'être marqué que B1161-Q.

Complémentaire du transistor 2SB1161-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1161-Q est le 2SD1716-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1161-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1161-Q par 2SA1673 ou 2SA1987.
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