Transistor bipolaire 2SB1126

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -10 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 4000
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1126 est marqué "BI".Le transistor NPN complémentaire du 2SB1126 est le 2SD1626.