Caractéristiques électriques du transistor 2SB1110-C
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
Tension collecteur-base maximum: -200 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
Gain de courant (hfe): 100 à 200
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SB1110-C
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1110-C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1110 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB1110-B entre 60 à 120, celui du 2SB1110-D entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1110-C peut n'être marqué que B1110-C.
Complémentaire du transistor 2SB1110-C
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1110-C est le 2SD1610-C.
Version SMD du transistor 2SB1110-C
Le BF623 (SOT-89) et BF823 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SB1110-C.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1110-C