Caractéristiques électriques du transistor 2SA200-O
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA200-O
Le 2SA200-O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA200-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du 2SA200 est compris entre 70 à 240, celui du 2SA200-Y entre 120 à 240.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA200-O peut n'être marqué que A200-O.
Complémentaire du transistor 2SA200-O
Le transistor NPN complémentaire du 2SA200-O est le 2SC200-O.
Version SMD du transistor 2SA200-O
Le FMMTA55 (SOT-23) et KST55 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA200-O.