Transistor bipolaire 2SA1319-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1319-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -180 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.7 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA1319-R

Le 2SA1319-R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1319-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SA1319 est compris entre 100 à 400, celui du 2SA1319-S entre 140 à 280, celui du 2SA1319-T entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1319-R peut n'être marqué que A1319-R.

Complémentaire du transistor 2SA1319-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1319-R est le 2SC3332-R.

Version SMD du transistor 2SA1319-R

Le KST93 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1319-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1319-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1319-R par 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, KSA1013, KSA1013O, KTA1275 ou KTA1275O.
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