Transistor bipolaire 2N6517

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 350 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 200
• Fréquence de transition minimum: 40 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N6517 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor 2N6517C (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du 2N6517.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N6517 est le 2N6520.