Transistor bipolaire 2N6430

Caractéristiques électriques du transistor 2N6430

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 200
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-18

Brochage du 2N6430

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6430

Le transistor PNP complémentaire du 2N6430 est le 2N6432.

Version SMD du transistor 2N6430

Le KST43 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N6430.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6430

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6430 par 2N6431.
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