Transistor bipolaire 2N6299

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N6299 est le 2N6301.