Transistor bipolaire 2N6193

Caractéristiques électriques du transistor 2N6193

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-39

Brochage du 2N6193

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N6193

Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6193.
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