Transistor bipolaire 2N5990

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 120
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5990 est le 2N5987.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5990 par 2N5991.