Transistor bipolaire 2N5833
Caractéristiques électriques du transistor 2N5833
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
- Tension collecteur-base maximum: 200 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 50 à 250
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2N5833
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Version SMD du transistor 2N5833
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