Transistor bipolaire 2N5833

Caractéristiques électriques du transistor 2N5833

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 200 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5833

Le 2N5833 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N5833

Le KST43 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5833.
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