Transistor bipolaire 2N5830

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 500
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5830 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.