Transistor bipolaire 2N5760

Caractéristiques électriques du transistor 2N5760

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 140 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 1 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N5760

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5760

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5760 par 2N3773, 2N3773G, 2N5631, 2N5634, 2N6306, BUY69C, BUY70C, MJ15022, MJ15022G, MJ15024 ou MJ15024G.
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