Transistor bipolaire 2N5416

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -350 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 120
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5416 par NTE397.