Transistor bipolaire 2N5339

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 6 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 240
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N5339.