Transistor bipolaire 2N4900

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N4900 est le 2N4912.Vous pouvez remplacer le transistor 2N4900 par 2N6372, 2N6467 ou 2N6468.