Transistor bipolaire 2N4059

Caractéristiques électriques du transistor 2N4059

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 45 à 660
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N4059

Le 2N4059 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N4059

Le transistor NPN complémentaire du 2N4059 est le 2N3708.
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