Transistor bipolar STD01P

Características del transistor STD01P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO2

Diagrama de pines del STD01P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD01P puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 20000. La ganancia del STD01P-O estará en el rango de 5000 a 12000, para el STD01P-Y estará en el rango de 8000 a 20000.

Equivalent circuit

STD01P equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del STD01P es el STD01N.

Sustitución y equivalentes para el transistor STD01P

Puede sustituir el STD01P por el STD02P o STD03P.
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