Transistor bipolar S9012G

Características del transistor S9012G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 112 a 166
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del S9012G

El S9012G se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor S9012G puede tener una ganancia de corriente de 112 a 166. La ganancia del S9012 estará en el rango de 64 a 300, para el S9012D estará en el rango de 64 a 91, para el S9012E estará en el rango de 78 a 112, para el S9012F estará en el rango de 96 a 135, para el S9012H estará en el rango de 144 a 202, para el S9012I estará en el rango de 190 a 300.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del S9012G es el S9013G.

Sustitución y equivalentes para el transistor S9012G

Puede sustituir el S9012G por el 2N4403, 2SB564A, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550C, KTC9012, KTN2907, M8550, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S8550, SS8550, ZTX549, ZTX550 o ZTX949.
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