Transistor bipolar NTE159M
Características del transistor NTE159M
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.4 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 300
- Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
- Encapsulado: TO-18
Diagrama de pines del NTE159M
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor NTE159M
Sustitución y equivalentes para el transistor NTE159M
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