Transistor bipolar MPS8550S-D

Características del transistor MPS8550S-D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular MPS8550D transistor

Diagrama de pines del MPS8550S-D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor MPS8550S-D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 300. La ganancia del MPS8550S estará en el rango de 85 a 300, para el MPS8550S-B estará en el rango de 85 a 160, para el MPS8550S-C estará en el rango de 120 a 200.

Marcado

El transistor MPS8550S-D está marcado como "BJD".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MPS8550S-D es el MPS8050S-D.

Transistor MPS8550S-D en envase TO-92

El MPS8550D es la versión TO-92 del MPS8550S-D.
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