Transistor bipolar MMBT5210
Características del transistor MMBT5210
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 50 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 600
- Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
- Figura de ruido máxima: 2 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Diagrama de pines del MMBT5210
Marcado
Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT5210
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